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扫描电镜

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产品参数

产品编号: 日本电子原子分辨分析型透射电镜JEM-ARM200F所属品牌: 日本电子
产品型号: JEM-ARM200F 额定功率:按实际方案提供
所属类别: 扫描电镜所属用途: 显微观察
应用领域: 所有工业领域
产品特性: 日本电子原子分辨分析型透射电镜JEM-ARM200F扫描透射像(STEM-HAADF)分辨率(0.078nm)。 JEM-ARM200F标配了照明系统球差校正器,是一款原子分辨分析型透射电镜。

日本电子透射电镜JEM-ARM200F

 

 

STEM-HAADF像的保证分辨率(78pm*1

 

标配照明系统球差校正器,且大限度地提升了装置的机械稳定性和电气稳定性,STEM-HAADF像分辨率 (78pm*1、82pm*2)。

 

此外经过球差校正的电子束与一般的场发射透射电镜相比,电流密度可以高出十倍。使

用束斑更小、电流密度更大的电子束,能在进行原子水平的元素分析同时,大幅度地缩短

测试时间,提高分析效率。

 

*1 配备冷场发射电子枪

*2 配备肖特基场发射电子枪

 

 

通过STEM-ABF像直接观察轻元素的原子阵列

 

 

JEM-ARM200F标配了扫描透射环形明场(STEM-ABF)成像模式,通过STEM-ABF像能直接观察晶体样品中轻元素的原子阵列,还可以同时获取STEM-HAADF像,在样品结构的分析中能够发挥巨大威力

 

 

用100mm2的大面积SDD*3进行

原子分辨分析

 

 

JEM-ARM200F配备日本电子制造的100mm²的大面积硅漂移检测器(Silicon Drift Detector:SDD)*3

可以进行快速、高灵敏的EDS元素分析,与经过球差校正的电子束流组合,能进行原子级的元素面分布,

在原子水平的分辨率下进行成份分析。

 

*3 选配

 

 

用冷场发射电子枪*4进行观察和分析

 

冷场发射电子枪(Cold-FEG)*4配备新开发的真空系统,与传统的冷场发射电子枪不同,Flashing操作后可以马上使用。由于光源小可以获得更高分辨率的图像。此外冷场发射电子枪的能量发散度小,不仅能进行高分辨率的EELS分析,还能降低色差。

*4 选配

 

 

成像系统球差校正器 *5

 

使用成像系统的球差校正器*5,透射电子像(TEM)的分辨率可以高达110pm。

*5 选配

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